Crystallographic and optical properties of wide bandgap photovoltaic semiconductor system, Cu(Al,In)Se<sub> 2 </sub>

نویسندگان

چکیده

Abstract We characterized the optical and electronic properties of chalcopyrite-type Cu(Al,In)Se 2 , which is a candidate for wide-bandgap solar cell materials. The bandgap energy was determined from diffuse reflectance spectra. increased 1.00 eV CuInSe to 2.61 CuAlSe with an increase in Al content. ionization corresponding levels valence band maximum (VBM) using photoemission yield spectroscopy. VBM level system stayed relatively constant, but conduction minimum increasing To analyze local structures Cu In atoms K-edge X-ray absorption fine structure (XAFS) spectra were measured at SPring-8. discuss crystallographic characteristics based on results XAFS analyses comparison phase diagrams Se–Al Se 3 Se–In 3, Se–Ga systems.

برای دانلود رایگان متن کامل این مقاله و بیش از 32 میلیون مقاله دیگر ابتدا ثبت نام کنید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

Ultrafast Spectroscopy of Wide Bandgap Semiconductor Nanostructures

Group III-nitrides have been considered a promising choice for the realization of optoelectronic devices since 1970. Since the first demonstration of the high-brightness blue lightemitting diodes (LEDs) by Shuji Nakamura and coworkers, the fabrication of highly efficient white LEDs has passed successful developments. A serious physical issue still remained, which prevents their use for high pow...

متن کامل

control of the optical properties of nanoparticles by laser fields

در این پایان نامه، درهمتنیدگی بین یک سیستم نقطه کوانتومی دوگانه(مولکول نقطه کوانتومی) و میدان مورد مطالعه قرار گرفته است. از آنتروپی ون نیومن به عنوان ابزاری برای بررسی درهمتنیدگی بین اتم و میدان استفاده شده و تاثیر پارامترهای مختلف، نظیر تونل زنی(که توسط تغییر ولتاژ ایجاد می شود)، شدت میدان و نسبت دو گسیل خودبخودی بر رفتار درجه درهمتنیدگی سیستم بررسی شده اشت.با تغییر هر یک از این پارامترها، در...

15 صفحه اول

Optical Spectroscopy of Wide Bandgap Semiconductor Heterostructures and Group-IV Alloy Quantum Dots

.........................................................................................................................................ix

متن کامل

Wide Bandgap Semiconductor Devices and MMICs: A DARPA Perspective

This paper reports on the recent successful completion of Phase I of DARPA’s Wide Bandgap Semiconductor Technology Initiative (WBGSTI). Phase I results are given for semi-insulating substrates and epitaxial growth, and a description and expectations for the upcoming Phases II and III are also provided. INTRODUCTION Wide bandgap devices and MMICs with high power density, high power added efficie...

متن کامل

ذخیره در منابع من


  با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ژورنال

عنوان ژورنال: Japanese Journal of Applied Physics

سال: 2022

ISSN: ['0021-4922', '1347-4065']

DOI: https://doi.org/10.35848/1347-4065/ac48cf